TSM60NC196CI C0G
Производитель Номер продукта:

TSM60NC196CI C0G

Product Overview

Производитель:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер детали:

TSM60NC196CI C0G-DG

Описание:

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220

Инвентаризация:

3840 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991722
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TSM60NC196CI C0G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1535 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
TSM60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
1801-TSM60NC196CIC0G

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTMFS4C908NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

NTMFS4C905NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

NVMYS007N10MCLTWG

PTNG 100V LL LFPAK4

onsemi

NTMFS4C910NAT1G

TRENCH 6 30V NCH